HBA8573S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBA8573S6R

Маркировка: BL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBA8573S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBA8573S6R даташит

 ..1. Size:249K  cystek
 hba8573s6r.pdf pdf_icon

HBA8573S6R

Spec. No. C306S6R Issued Date 2010.03.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBA8573S6R Features Two BTA1037 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Другие транзисторы: BU941ZP3, D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, DTA144WS3, FBP5096G3, HBA1873S5, 2SD313, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R