Справочник транзисторов. HBA8573S6R

 

Биполярный транзистор HBA8573S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBA8573S6R
   Маркировка: BL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для HBA8573S6R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBA8573S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  cystek
 hba8573s6r.pdf pdf_icon

HBA8573S6R

Spec. No. : C306S6R Issued Date : 2010.03.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBA8573S6R Features Two BTA1037 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Другие транзисторы... BU941ZP3 , D44H11E3 , D44H11J3 , D45H11E3 , D45H11J3 , DTA144WS3 , FBP5096G3 , HBA1873S5 , BC558 , HBC8471S6R , HBC8472S6R , HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , HBN2515S6R , HBN3101S6R .

History: TN3567 | TIP35F | 2SC1414F | 2SC1110 | F119A | F123A | BF307

 

 
Back to Top

 


 
.