HBN2515S6R Todos los transistores

 

HBN2515S6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBN2515S6R
   Código: N9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

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HBN2515S6R Datasheet (PDF)

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HBN2515S6R

Spec. No. : C223S6-A Issued Date : 2007.07.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.02.22 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor HBN2515S6R (Dual Transistors) Features Two BTD2515 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Otros transistores... HBA1873S5 , HBA8573S6R , HBC8471S6R , HBC8472S6R , HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , 13005 , HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R , HBNP54S6R , HBNP1268Q8 , HBNP2227S6R , HBNP3946S6R , HBNP5213G6 .

History: GF130 | BU216 | BU223 | BUP45

 

 
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