HBN2515S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBN2515S6R

Código: N9

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SOT-363R

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HBN2515S6R datasheet

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HBN2515S6R

Spec. No. C223S6-A Issued Date 2007.07.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor HBN2515S6R (Dual Transistors) Features Two BTD2515 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

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