HBN2515S6R Todos los transistores

 

HBN2515S6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBN2515S6R
   Código: N9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
     - Selección de transistores por parámetros

 

HBN2515S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  cystek
 hbn2515s6r.pdf pdf_icon

HBN2515S6R

Spec. No. : C223S6-A Issued Date : 2007.07.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.02.22 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor HBN2515S6R (Dual Transistors) Features Two BTD2515 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD995 | 2SC1103 | MMDT3946LP4 | DMG56404 | DRC3115G | AUY19-3 | FT34A

 

 
Back to Top

 


 
.