Справочник транзисторов. HBN2515S6R

 

Биполярный транзистор HBN2515S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBN2515S6R
   Маркировка: N9
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT-363R
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBN2515S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  cystek
 hbn2515s6r.pdf pdf_icon

HBN2515S6R

Spec. No. : C223S6-A Issued Date : 2007.07.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.02.22 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor HBN2515S6R (Dual Transistors) Features Two BTD2515 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Другие транзисторы... HBA1873S5 , HBA8573S6R , HBC8471S6R , HBC8472S6R , HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , 13005 , HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R , HBNP54S6R , HBNP1268Q8 , HBNP2227S6R , HBNP3946S6R , HBNP5213G6 .

 

 
Back to Top

 


 
.