HBN2515S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBN2515S6R

Маркировка: N9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBN2515S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBN2515S6R даташит

 ..1. Size:256K  cystek
 hbn2515s6r.pdf pdf_icon

HBN2515S6R

Spec. No. C223S6-A Issued Date 2007.07.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor HBN2515S6R (Dual Transistors) Features Two BTD2515 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Другие транзисторы: HBA1873S5, HBA8573S6R, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, C3198, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6