HBN3101S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBN3101S6R

Código: K4N

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-363

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HBN3101S6R datasheet

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HBN3101S6R

Spec. No. C234S6R Issued Date 2013.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor HBN3101S6R (Dual Transistors) Features Two BF422 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area c

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