Справочник транзисторов. HBN3101S6R

 

Биполярный транзистор HBN3101S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBN3101S6R
   Маркировка: K4N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HBN3101S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
 hbn3101s6r.pdf pdf_icon

HBN3101S6R

Spec. No. : C234S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor HBN3101S6R (Dual Transistors) Features Two BF422 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area c

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SCR522UB | BSYP62 | 2SC2567 | PBHV8560Z | CX904 | NJVMJD50T4G | CPH6001A

 

 
Back to Top

 


 
.