Справочник транзисторов. HBN3101S6R

 

Биполярный транзистор HBN3101S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBN3101S6R
   Маркировка: K4N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для HBN3101S6R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBN3101S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
 hbn3101s6r.pdf pdf_icon

HBN3101S6R

Spec. No. : C234S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor HBN3101S6R (Dual Transistors) Features Two BF422 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area c

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: B709AR | KST5551

 

 
Back to Top

 


 
.