HBNP54S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBNP54S6R

Código: KNM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 180(160) V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-363

 Búsqueda de reemplazo de HBNP54S6R

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HBNP54S6R datasheet

 ..1. Size:306K  cystek
 hbnp54s6r.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. C904S6R Issued Date 2013.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

 9.1. Size:340K  cystek
 hbnp5213g6.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. C627G6 Issued Date 2013.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B

Otros transistores... HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, S9013, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5