HBNP54S6R Todos los transistores

 

HBNP54S6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBNP54S6R
   Código: KNM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180(160) V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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HBNP54S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cystek
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HBNP54S6R

Spec. No. : C904S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

 9.1. Size:340K  cystek
 hbnp5213g6.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. : C627G6 Issued Date : 2013.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B :

Otros transistores... HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , HBN2515S6R , HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R , 2SB817 , HBNP1268Q8 , HBNP2227S6R , HBNP3946S6R , HBNP5213G6 , HBNPZ1NS6R , HBP1036S6R , HBP1037C6 , HBP1037S5 .

History: MMSTA13 | TP9380 | 2SC1318A | XC723

 

 
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