HBNP54S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNP54S6R

Маркировка: KNM

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180(160) V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для HBNP54S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP54S6R даташит

 ..1. Size:306K  cystek
 hbnp54s6r.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. C904S6R Issued Date 2013.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

 9.1. Size:340K  cystek
 hbnp5213g6.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. C627G6 Issued Date 2013.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B

Другие транзисторы: HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, S9013, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5