Справочник транзисторов. HBNP54S6R

 

Биполярный транзистор HBNP54S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBNP54S6R
   Маркировка: KNM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180(160) V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP54S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cystek
 hbnp54s6r.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. : C904S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

 9.1. Size:340K  cystek
 hbnp5213g6.pdf pdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. : C627G6 Issued Date : 2013.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B :

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MMBR4957LT3 | 3DD13009_C8

 

 
Back to Top

 


 
.