Справочник транзисторов. HBNP54S6R

 

Биполярный транзистор HBNP54S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBNP54S6R
   Маркировка: KNM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180(160) V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для HBNP54S6R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP54S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cystek
hbnp54s6r.pdfpdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. : C904S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

 9.1. Size:340K  cystek
hbnp5213g6.pdfpdf_icon

HBNP54S6R

Spec. No. : C627G6 Issued Date : 2013.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B :

Другие транзисторы... HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , HBN2515S6R , HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R , 2SB817 , HBNP1268Q8 , HBNP2227S6R , HBNP3946S6R , HBNP5213G6 , HBNPZ1NS6R , HBP1036S6R , HBP1037C6 , HBP1037S5 .

History: BSW21A | DRC3144V | MBT3946DW | NE68000 | NTE315

 

 
Back to Top

 


 
.