HBNP1268Q8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HBNP1268Q8
Código: NP1268
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.38 W
Tensión colector-base (Vcb): 80(30) V
Tensión colector-emisor (Vce): 50(30) V
Tensión emisor-base (Veb): 6(5) V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4(5) A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 90(100) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 280(140)
Paquete / Cubierta: SOP-8
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HBNP1268Q8 Datasheet (PDF)
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Spec. No. : C198Q8 Issued Date : 2010.11.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (quadruple transistors) NPN PNPHBNP1268Q8 BVCEO 50V -30VIC 4A -5ARCE(SAT)(TYP) 125m 180m Features Includes two NPN chips and two PNP chips in a SOP-8 package. Pb-free lead plating package Equivalent Cir
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