HBNP1268Q8 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBNP1268Q8

Código: NP1268

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.38 W

Tensión colector-base (Vcb): 80(30) V

Tensión colector-emisor (Vce): 50(30) V

Tensión emisor-base (Veb): 6(5) V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4(5) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90(100) MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 280(140)

Encapsulados: SOP-8

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HBNP1268Q8 datasheet

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HBNP1268Q8

Spec. No. C198Q8 Issued Date 2010.11.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (quadruple transistors) NPN PNP HBNP1268Q8 BVCEO 50V -30V IC 4A -5A RCE(SAT)(TYP) 125m 180m Features Includes two NPN chips and two PNP chips in a SOP-8 package. Pb-free lead plating package Equivalent Cir

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