Биполярный транзистор HBNP1268Q8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HBNP1268Q8
Маркировка: NP1268
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80(30) V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50(30) V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4(5) A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90(100) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280(140)
Корпус транзистора: SOP-8
Аналоги (замена) для HBNP1268Q8
HBNP1268Q8 Datasheet (PDF)
hbnp1268q8.pdf
Spec. No. : C198Q8 Issued Date : 2010.11.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (quadruple transistors) NPN PNPHBNP1268Q8 BVCEO 50V -30VIC 4A -5ARCE(SAT)(TYP) 125m 180m Features Includes two NPN chips and two PNP chips in a SOP-8 package. Pb-free lead plating package Equivalent Cir
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050