HBNP1268Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNP1268Q8

Маркировка: NP1268

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80(30) V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50(30) V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4(5) A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90(100) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 280(140)

Корпус транзистора: SOP-8

 Аналоги (замена) для HBNP1268Q8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP1268Q8 даташит

 ..1. Size:287K  cystek
 hbnp1268q8.pdf pdf_icon

HBNP1268Q8

Spec. No. C198Q8 Issued Date 2010.11.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (quadruple transistors) NPN PNP HBNP1268Q8 BVCEO 50V -30V IC 4A -5A RCE(SAT)(TYP) 125m 180m Features Includes two NPN chips and two PNP chips in a SOP-8 package. Pb-free lead plating package Equivalent Cir

Другие транзисторы: HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, 2SC2655, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R