HBNP3946S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBNP3946S6R

Código: 46

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60(40) V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6(5) V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-363R

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HBNP3946S6R datasheet

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HBNP3946S6R

Spec. No. C902S6R Issued Date 2003.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.03.11 Page No. 1/12 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP3946S6R Features Includes a 2N3904 chip and 2N3906 chip in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independe

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