HBNP3946S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNP3946S6R

Маркировка: 46

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60(40) V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBNP3946S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP3946S6R даташит

 ..1. Size:593K  cystek
 hbnp3946s6r.pdf pdf_icon

HBNP3946S6R

Spec. No. C902S6R Issued Date 2003.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.03.11 Page No. 1/12 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP3946S6R Features Includes a 2N3904 chip and 2N3906 chip in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independe

Другие транзисторы: HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, 13005, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF