HBNP5213G6 Todos los transistores

 

HBNP5213G6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBNP5213G6
   Código: 5213
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.14 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6(11) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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HBNP5213G6 Datasheet (PDF)

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HBNP5213G6

Spec. No. : C627G6 Issued Date : 2013.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B :

 9.1. Size:306K  cystek
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HBNP5213G6

Spec. No. : C904S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

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