HBNP5213G6 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBNP5213G6

Código: 5213

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.14 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6(11) pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TSOP-6

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HBNP5213G6 datasheet

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HBNP5213G6

Spec. No. C627G6 Issued Date 2013.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B

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HBNP5213G6

Spec. No. C904S6R Issued Date 2013.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

Otros transistores... HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, D209L, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, HQP1498QF