HBNP5213G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNP5213G6

Маркировка: 5213

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.14 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(11) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TSOP-6

 Аналоги (замена) для HBNP5213G6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP5213G6 даташит

 ..1. Size:340K  cystek
 hbnp5213g6.pdf pdf_icon

HBNP5213G6

Spec. No. C627G6 Issued Date 2013.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B

 9.1. Size:306K  cystek
 hbnp54s6r.pdf pdf_icon

HBNP5213G6

Spec. No. C904S6R Issued Date 2013.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

Другие транзисторы: HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, D209L, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, HQP1498QF