Справочник транзисторов. HBNP5213G6

 

Биполярный транзистор HBNP5213G6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBNP5213G6
   Маркировка: 5213
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.14 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(11) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TSOP-6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP5213G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  cystek
hbnp5213g6.pdfpdf_icon

HBNP5213G6

Spec. No. : C627G6 Issued Date : 2013.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 NPN AND PNP Dual Epitaxial Planar Transistors HBNP5213G6 Features High BV CEO High current Excellent DC current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline HBNP5213G6 TSOP-6 C2 E1 C1 B2 E2 B :

 9.1. Size:306K  cystek
hbnp54s6r.pdfpdf_icon

HBNP5213G6

Spec. No. : C904S6R Issued Date : 2013.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP54S6R Features Includes a BTC3906 chip and BTA1514 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD874A-R | 3DD13005_B3 | BSW75 | 2N2113 | DTB543XE | TSC114YNND03

 

 
Back to Top

 


 
.