HBNPZ1NS6R Todos los transistores

 

HBNPZ1NS6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBNPZ1NS6R
   Código: BF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6(5) V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(60) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 
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HBNPZ1NS6R Datasheet (PDF)

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HBNPZ1NS6R

Spec. No. : C901S6R Issued Date : 2009.06.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNPZ1NS6R Features Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut

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