HBNPZ1NS6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBNPZ1NS6R

Código: BF

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6(5) V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80(60) MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT-363R

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HBNPZ1NS6R datasheet

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HBNPZ1NS6R

Spec. No. C901S6R Issued Date 2009.06.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNPZ1NS6R Features Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut

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