HBNPZ1NS6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNPZ1NS6R

Маркировка: BF

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(60) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBNPZ1NS6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNPZ1NS6R даташит

 ..1. Size:191K  cystek
 hbnpz1ns6r.pdf pdf_icon

HBNPZ1NS6R

Spec. No. C901S6R Issued Date 2009.06.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNPZ1NS6R Features Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut

Другие транзисторы: HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, 2N4401, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, HQP1498QF, PZT2222AL3