Биполярный транзистор HBNPZ1NS6R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HBNPZ1NS6R
Маркировка: BF
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(60) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-363R
Аналоги (замена) для HBNPZ1NS6R
HBNPZ1NS6R Datasheet (PDF)
..1. Size:191K cystek
hbnpz1ns6r.pdf
hbnpz1ns6r.pdf
Spec. No. : C901S6R Issued Date : 2009.06.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNPZ1NS6R Features Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050