Биполярный транзистор HBNPZ1NS6R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HBNPZ1NS6R
Маркировка: BF
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(60) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-363R
Аналог (замена) для HBNPZ1NS6R
HBNPZ1NS6R Datasheet (PDF)
hbnpz1ns6r.pdf

Spec. No. : C901S6R Issued Date : 2009.06.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNPZ1NS6R Features Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut
Другие транзисторы... HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R , HBNP54S6R , HBNP1268Q8 , HBNP2227S6R , HBNP3946S6R , HBNP5213G6 , D880 , HBP1036S6R , HBP1037C6 , HBP1037S5 , HBP1037S6R , HBP2907S6R , HQN2498QF , HQP1498QF , PZT2222AL3 .
History: BC808A | FXT2221R | GE10003
History: BC808A | FXT2221R | GE10003



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647