Справочник транзисторов. HBNPZ1NS6R

 

Биполярный транзистор HBNPZ1NS6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBNPZ1NS6R
   Маркировка: BF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(60) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-363R
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HBNPZ1NS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  cystek
 hbnpz1ns6r.pdf pdf_icon

HBNPZ1NS6R

Spec. No. : C901S6R Issued Date : 2009.06.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNPZ1NS6R Features Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DD13009_C8

 

 
Back to Top

 


 
.