HBP2907S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBP2907S6R

Código: 2F

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-363R

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HBP2907S6R datasheet

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HBP2907S6R

Spec. No. C317S6R Issued Date 2006.11.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBP2907S6R Features Two BTP2907 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mount

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