HBP2907S6R Todos los transistores

 

HBP2907S6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBP2907S6R
   Código: 2F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-363R

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HBP2907S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  cystek
hbp2907s6r.pdf

HBP2907S6R HBP2907S6R

Spec. No. : C317S6R Issued Date : 2006.11.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBP2907S6R Features Two BTP2907 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mount

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History: BTD1980J3 | 2N4945 | ECG33 | ECG161

 

 
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