HBP2907S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBP2907S6R

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBP2907S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBP2907S6R даташит

 ..1. Size:190K  cystek
 hbp2907s6r.pdf pdf_icon

HBP2907S6R

Spec. No. C317S6R Issued Date 2006.11.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBP2907S6R Features Two BTP2907 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mount

Другие транзисторы: HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, 2SD669A, HQN2498QF, HQP1498QF, PZT2222AL3, PZT5551L3, STBV32A3, TIP31CE3, TIP31CJ3, TIP50I3