STBV32A3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STBV32A3

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 21 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO-92

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STBV32A3 datasheet

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STBV32A3

Spec. No. C827A3 Issued Date 2007.09.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.08 Page No. 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B

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STBV32A3

STBV32 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed Applications Compact fluorescent lamps (CFLS) TO-92 TO-92AP SMPS for battery charger Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is manufactured us

Otros transistores... HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, HQP1498QF, PZT2222AL3, PZT5551L3, BC556, TIP31CE3, TIP31CJ3, TIP50I3, TIP50J3, 2SC5858, 2SC6118LS, MJW18020G, NE68000