STBV32A3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STBV32A3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 21 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO-92
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STBV32A3 Datasheet (PDF)
stbv32a3.pdf

Spec. No. : C827A3 Issued Date : 2007.09.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.08 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter E C B
stbv32.pdf

STBV32High voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speedApplications Compact fluorescent lamps (CFLS)TO-92 TO-92AP SMPS for battery chargerDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is manufactured us
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Liste
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