Справочник транзисторов. STBV32A3

 

Биполярный транзистор STBV32A3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: STBV32A3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для STBV32A3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STBV32A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  cystek
 stbv32a3.pdf pdf_icon

STBV32A3

Spec. No. : C827A3 Issued Date : 2007.09.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.08 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter E C B

 8.1. Size:237K  st
 stbv32.pdf pdf_icon

STBV32A3

STBV32High voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speedApplications Compact fluorescent lamps (CFLS)TO-92 TO-92AP SMPS for battery chargerDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is manufactured us

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: PUMB17 | 2SB1197K | 2N1716S | 2SB1205T-TL-E | PZT987A

 

 
Back to Top

 


 
.