STBV32A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STBV32A3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для STBV32A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STBV32A3 даташит

 ..1. Size:225K  cystek
 stbv32a3.pdf pdf_icon

STBV32A3

Spec. No. C827A3 Issued Date 2007.09.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.08 Page No. 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B

 8.1. Size:237K  st
 stbv32.pdf pdf_icon

STBV32A3

STBV32 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed Applications Compact fluorescent lamps (CFLS) TO-92 TO-92AP SMPS for battery charger Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is manufactured us

Другие транзисторы: HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, HQP1498QF, PZT2222AL3, PZT5551L3, BC556, TIP31CE3, TIP31CJ3, TIP50I3, TIP50J3, 2SC5858, 2SC6118LS, MJW18020G, NE68000