MJW18020G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MJW18020G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 13 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 14

Encapsulados: TO247

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MJW18020G datasheet

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MJW18020G

MJW18020 NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar The MJW18020 planar High Voltage Power Transistor is specifically Designed for motor control applications, high power http //onsemi.com supplies and UPS s for which the high reproducibility of DC and Switching parameters minimizes the dead time in bridge 30 AMPERES configurations. 1000 VOLTS BVCES Features 450 VOLTS BVCEO

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