MJW18020G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJW18020G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 13 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 14
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MJW18020G
MJW18020G Datasheet (PDF)
mjw18020.pdf

MJW18020NPN Silicon PowerTransistors High VoltagePlanarThe MJW18020 planar High Voltage Power Transistor isspecifically Designed for motor control applications, high powerhttp://onsemi.comsupplies and UPSs for which the high reproducibility of DC andSwitching parameters minimizes the dead time in bridge30 AMPERESconfigurations.1000 VOLTS BVCESFeatures450 VOLTS BVCEO
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History: BF197-01 | GT115V | BCY32 | BD227-10 | NPS753 | MM3000 | UN6215S
History: BF197-01 | GT115V | BCY32 | BD227-10 | NPS753 | MM3000 | UN6215S



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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