Справочник транзисторов. MJW18020G

 

Биполярный транзистор MJW18020G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJW18020G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 14
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для MJW18020G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW18020G Datasheet (PDF)

 6.1. Size:131K  onsemi
 mjw18020.pdf pdf_icon

MJW18020G

MJW18020NPN Silicon PowerTransistors High VoltagePlanarThe MJW18020 planar High Voltage Power Transistor isspecifically Designed for motor control applications, high powerhttp://onsemi.comsupplies and UPSs for which the high reproducibility of DC andSwitching parameters minimizes the dead time in bridge30 AMPERESconfigurations.1000 VOLTS BVCESFeatures450 VOLTS BVCEO

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: TIP31CE3 | 2SB1342 | BC213KC

 

 
Back to Top

 


 
.