Справочник транзисторов. MJW18020G

 

Биполярный транзистор MJW18020G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJW18020G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 14
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для MJW18020G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW18020G Datasheet (PDF)

 6.1. Size:131K  onsemi
 mjw18020.pdf pdf_icon

MJW18020G

MJW18020NPN Silicon PowerTransistors High VoltagePlanarThe MJW18020 planar High Voltage Power Transistor isspecifically Designed for motor control applications, high powerhttp://onsemi.comsupplies and UPSs for which the high reproducibility of DC andSwitching parameters minimizes the dead time in bridge30 AMPERESconfigurations.1000 VOLTS BVCESFeatures450 VOLTS BVCEO

Другие транзисторы... PZT5551L3 , STBV32A3 , TIP31CE3 , TIP31CJ3 , TIP50I3 , TIP50J3 , 2SC5858 , 2SC6118LS , 13001-A , NE68000 , NE68018 , NE68019 , NE68030 , NE68033 , NE68035 , NE68039 , 2SC5618 .

History: 2SA1236 | PZT2222AL3 | 2SA1113 | 2SC538A | BLW97

 

 
Back to Top

 


 
.