MJW18020G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJW18020G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для MJW18020G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW18020G даташит

 6.1. Size:131K  onsemi
 mjw18020.pdf pdf_icon

MJW18020G

MJW18020 NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar The MJW18020 planar High Voltage Power Transistor is specifically Designed for motor control applications, high power http //onsemi.com supplies and UPS s for which the high reproducibility of DC and Switching parameters minimizes the dead time in bridge 30 AMPERES configurations. 1000 VOLTS BVCES Features 450 VOLTS BVCEO

Другие транзисторы: PZT5551L3, STBV32A3, TIP31CE3, TIP31CJ3, TIP50I3, TIP50J3, 2SC5858, 2SC6118LS, MPSA42, NE68000, NE68018, NE68019, NE68030, NE68033, NE68035, NE68039, 2SC5618