Биполярный транзистор MJW18020G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJW18020G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 14
Корпус транзистора: TO247
Аналоги (замена) для MJW18020G
MJW18020G Datasheet (PDF)
mjw18020.pdf
MJW18020NPN Silicon PowerTransistors High VoltagePlanarThe MJW18020 planar High Voltage Power Transistor isspecifically Designed for motor control applications, high powerhttp://onsemi.comsupplies and UPSs for which the high reproducibility of DC andSwitching parameters minimizes the dead time in bridge30 AMPERESconfigurations.1000 VOLTS BVCESFeatures450 VOLTS BVCEO
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050