H1061 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H1061

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO220AB

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H1061 datasheet

 ..1. Size:151K  pmc components
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H1061

H1061 TRIPLE DIFFUSED SILICON NPN TRANSISTOR designed for low frequency power amplifier MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage V 100 V CBO Collector Emitter Voltage V 80 V CEO Emitter Base Voltage V 5 V EBO Collector Current (DC) I 4 A C Collector Current (Peak) I 8 A C Collector power Dissipation P 40 W C 1 Base Junction Temperature

 0.1. Size:437K  semtech
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H1061

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 3 A Power Dissipation Ptot 25 W O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Temperature Range TS -45

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