H1061. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H1061

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для H1061

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1061 даташит

 ..1. Size:151K  pmc components
 h1061.pdf pdf_icon

H1061

H1061 TRIPLE DIFFUSED SILICON NPN TRANSISTOR designed for low frequency power amplifier MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage V 100 V CBO Collector Emitter Voltage V 80 V CEO Emitter Base Voltage V 5 V EBO Collector Current (DC) I 4 A C Collector Current (Peak) I 8 A C Collector power Dissipation P 40 W C 1 Base Junction Temperature

 0.1. Size:437K  semtech
 sth1061.pdf pdf_icon

H1061

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 3 A Power Dissipation Ptot 25 W O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Temperature Range TS -45

Другие транзисторы: NE68019, NE68030, NE68033, NE68035, NE68039, 2SC5618, 2SC5253, 2SC5855A, D667, 2SD5703, H945R, H945Q, H945P, H945K, H945, KT925A, KT925B