2N6441 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6441
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 160 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO77
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N6441
2N6441 Datasheet (PDF)
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
Otros transistores... 2N6436 , 2N6436A , 2N6437 , 2N6437A , 2N6438 , 2N6438A , 2N6439 , 2N644 , BC557 , 2N6442 , 2N6443 , 2N6444 , 2N6445 , 2N6446 , 2N6447 , 2N6448 , 2N645 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050