2N6441 - описание и поиск аналогов

 

2N6441. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6441

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO77

 Аналоги (замена) для 2N6441

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6441 даташит

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6441

 9.2. Size:91K  interfet
 2n6449 2n6450.pdf pdf_icon

2N6441

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-24 B-24 01/99 2N6449, 2N6450 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C High Voltage 2N6449 2N6450 Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 V Reverse Gate Drain Voltage 300 V 200 V Continuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Continuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mW Power Derati

Другие транзисторы: 2N6436, 2N6436A, 2N6437, 2N6437A, 2N6438, 2N6438A, 2N6439, 2N644, TIP31C, 2N6442, 2N6443, 2N6444, 2N6445, 2N6446, 2N6447, 2N6448, 2N645

 

 

 

 

↑ Back to Top
.