RN2357 Todos los transistores

 

RN2357 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2357
   Código: Z1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC70
 

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RN2357 Datasheet (PDF)

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RN2357

RN2357 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TENTATIVE RN2357 Unit: mmDriver Circuit, Inverter Circuit, and Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process RN2307 and a diode are included in a SC-70 package. Equivalent Circuit (Top View) Bias Resistor ValuesR1

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RN2357

RN2357 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TENTATIVE RN2357 Unit: mmDriver Circuit, Inverter Circuit, and Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process RN2307 and a diode are included in a SC-70 package. Equivalent Circuit (Top View) Bias Resistor ValuesR1

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History: 2SA1255Y

 

 
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