RN2357 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN2357

Código: Z1

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC70

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RN2357 datasheet

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RN2357

RN2357 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TENTATIVE RN2357 Unit mm Driver Circuit, Inverter Circuit, and Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process RN2307 and a diode are included in a SC-70 package. Equivalent Circuit (Top View) Bias Resistor Values R1

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RN2357

RN2357 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TENTATIVE RN2357 Unit mm Driver Circuit, Inverter Circuit, and Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process RN2307 and a diode are included in a SC-70 package. Equivalent Circuit (Top View) Bias Resistor Values R1

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