RN2357 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2357  📄📄 

Маркировка: Z1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC70

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2357

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2357 даташит

 ..1. Size:73K  toshiba
 rn2357 2.pdf pdf_icon

RN2357

RN2357 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TENTATIVE RN2357 Unit mm Driver Circuit, Inverter Circuit, and Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process RN2307 and a diode are included in a SC-70 package. Equivalent Circuit (Top View) Bias Resistor Values R1

 ..2. Size:65K  toshiba
 rn2357.pdf pdf_icon

RN2357

RN2357 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TENTATIVE RN2357 Unit mm Driver Circuit, Inverter Circuit, and Switching Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process RN2307 and a diode are included in a SC-70 package. Equivalent Circuit (Top View) Bias Resistor Values R1

Другие транзисторы: 3DD4120PLM, KT922A, KT922B, KT922V, KT922G, KT922D, NTE128, NTE129, 2SC4793, 2SD1886C, 2SD1651C, 2SC945R, 2SC945O, 2SC945Y, 2SC945P, C8050B, C8050C