159NT1D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 159NT1D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 159NT1D

159NT1D Datasheet (PDF)

8.1. Size:78K onsemi
ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf

NTLJS4159NPower MOSFET30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate30 V

8.2. Size:444K russia
k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf