159NT1D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 159NT1D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

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159NT1D datasheet

 8.1. Size:78K  onsemi
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159NT1D

NTLJS4159N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V

 8.2. Size:444K  russia
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159NT1D

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