159NT1D - описание и поиск аналогов

 

159NT1D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 159NT1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для 159NT1D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

159NT1D даташит

 8.1. Size:78K  onsemi
 ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf pdf_icon

159NT1D

NTLJS4159N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V

 8.2. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

159NT1D

Другие транзисторы... K129NT1G-1 , K129NT1D-1 , K129NT1E-1 , K129NT1ZH-1 , 159NT1A , 159NT1B , 159NT1V , 159NT1G , BC556 , 159NT1E , K159NT1A , K159NT1B , K159NT1V , K159NT1G , K159NT1D , K159NT1E , 1129NTV1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.