TPT5609 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPT5609  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 190 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 22 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92L

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TPT5609 datasheet

 ..1. Size:216K  mcc
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TPT5609

MCC Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth TPT5609 Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Excellent linearity of Current Gain NPN Epitaxial Low saturation voltage Silicon Transistor Maximum Ratings Symbol Rating Rating Unit TO-92L VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VCBO Collector-Base Voltage 25 V

 ..2. Size:206K  lge
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TPT5609

TPT5609 TO-92L Transistor (NPN) TO-92L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.700 2 3 5.100 1 Features Excellent linearity of Current Gain 7.800 8.200 Low saturation voltage Complementary to TPT5610 0.600 0.800 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 0.350 0.550 13.800 VCBO 25 V Collector- Base Voltage 14.200 VCEO 20 V

 9.1. Size:186K  lge
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TPT5609

TPT5610 TO-92L Transistor (PNP) TO-92L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.700 5.100 2 3 1 Features Excellent linearity of Current Gain 7.800 8.200 Low saturation voltage 0.600 Complementary to TPT5609 0.800 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 0.350 0.550 13.800 VCBO -25 V Collector- Base Voltage 14.200 VCEO -20

Otros transistores... K159NT1E, 1129NTV1, B1129NT1V-1, CS13001, CS13002, CS13003, T5609, T5610, TIP120, TPT5610, 2SC4977, 2SA1013T, 2SA1015M, 2SA1577W, 2SA1930I, 2SA2050, 2SA3802