2SC1627AF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC1627AF  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO126F

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2SC1627AF datasheet

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2SC1627AF

2SC1627AF(BR3DG1627AF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 30 35W 2SA817AF(BR3CG817AF) Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(BR3CG817AF). / Applications

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2SC1627AF

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2SC1627AF

2SC1627A TO-92MOD Transistor (NPN) TO-92MOD 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE Features 5.800 6.200 Complementary to 2SA817A 8.400 Driver Stage Application of 30 to 35 Watts Amplifiers 8.800 0.900 1.100 0.400 MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) 0.600 13.800 14.200 Symbol parameter Value Units VCBO 80 V Collector-Base Voltage 1.500 TYP

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2SC1627AF

2SC1627 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC1627 Driver Stage Amplifier Applications Unit mm Voltage Amplifier Applications Complementary to 2SA817 Driver stage application of 20 to 25 watts amplifiers. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 80 V Collector-emitter voltage VCEO

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