RN1002 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1002 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92S
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RN1002 datasheet
rn1002.pdf
RN1002(3RC1002) NPN /SILICON NPN DIGITAL TRANSISTOR Purpose Switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications. Features With built-in bias resistors, simplify circuit design, reduce a q
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