RN1002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1002

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для RN1002

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1002 даташит

 ..1. Size:244K  blue-rocket-elect
 rn1002.pdf pdf_icon

RN1002

RN1002(3RC1002) NPN /SILICON NPN DIGITAL TRANSISTOR Purpose Switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications. Features With built-in bias resistors, simplify circuit design, reduce a q

Другие транзисторы: S8550W, TIP122L, TIP127L, TIP41P, TIP42P, TT2190, DTC124ETA, DTC144ETA, 2N2222A, RN1201, RN1204, RN1205, RN1206, RN2002, BCX53U, BCX56U, ST13002T