2N6470 Todos los transistores

 

2N6470 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6470
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N6470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  inchange semiconductor
2n6470 2n6471 2n6472.pdf pdf_icon

2N6470

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6470 2N6471 2N6472 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outlin

 ..2. Size:51K  inchange semiconductor
2n6470.pdf pdf_icon

2N6470

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6470 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain- : hFE= 20-150(Min)@IC = 5A Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.3V(Max)@ IC = 5A APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and linear amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL

 9.1. Size:511K  rca
2n647.pdf pdf_icon

2N6470

 9.2. Size:84K  central
2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf pdf_icon

2N6470

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC1060 | BC232B | 2N233A | 2N964 | 2SC1103A | 2SD468C | 2SC3443

 

 
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