2N6470 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6470  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6470

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6470 даташит

 ..1. Size:130K  inchange semiconductor
 2n6470 2n6471 2n6472.pdf pdf_icon

2N6470

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6470 2N6471 2N6472 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outlin

 ..2. Size:51K  inchange semiconductor
 2n6470.pdf pdf_icon

2N6470

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6470 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain- hFE= 20-150(Min)@IC = 5A Low Saturation Voltage- VCE(sat)= 1.3V(Max)@ IC = 5A APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and linear amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL

 9.1. Size:511K  rca
 2n647.pdf pdf_icon

2N6470

 9.2. Size:84K  central
 2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf pdf_icon

2N6470

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6463, 2N6464, 2N6465, 2N6466, 2N6467, 2N6468, 2N6469, 2N647, 2SC2625, 2N6471, 2N6472, 2N647-22, 2N6473, 2N6474, 2N6475, 2N6476, 2N6477