2N6472 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6472
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 90 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N6472 Datasheet (PDF)
2n6470 2n6471 2n6472.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6470 2N6471 2N6472 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outlin
2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Otros transistores... 2N6465 , 2N6466 , 2N6467 , 2N6468 , 2N6469 , 2N647 , 2N6470 , 2N6471 , 2SC2383Y , 2N647-22 , 2N6473 , 2N6474 , 2N6475 , 2N6476 , 2N6477 , 2N6478 , 2N6478A .
History: 2N3421A | ECG238 | 41025 | 2SC2947 | BC231B | 2SA49 | GFT31-30
History: 2N3421A | ECG238 | 41025 | 2SC2947 | BC231B | 2SA49 | GFT31-30



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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