2N6472 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6472  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 90 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2N6472

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N6472 datasheet

 ..1. Size:130K  inchange semiconductor
2n6470 2n6471 2n6472.pdf pdf_icon

2N6472

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6470 2N6471 2N6472 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outlin

 9.1. Size:511K  rca
2n647.pdf pdf_icon

2N6472

 9.2. Size:84K  central
2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf pdf_icon

2N6472

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:345K  no
2n6477.pdf pdf_icon

2N6472

Otros transistores... 2N6465, 2N6466, 2N6467, 2N6468, 2N6469, 2N647, 2N6470, 2N6471, 8550, 2N647-22, 2N6473, 2N6474, 2N6475, 2N6476, 2N6477, 2N6478, 2N6478A