2N6472 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2N6472 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6472 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2N6472

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2N6472 даташит

..1. Size:130K inchange semiconductor
2n6470 2n6471 2n6472.pdf pdf_icon

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6470 2N6471 2N6472 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outlin

9.1. Size:511K rca
2n647.pdf pdf_icon