L2SD1781KRLT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: L2SD1781KRLT1G
Código: AFR
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar L2SD1781KRLT1G
L2SD1781KRLT1G Datasheet (PDF)
l2sd1781krlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)S-L2SD1781KQLT1G SeriesL2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)1(IC / IB = 500mA / 50mA)2) High current capacity in compact2package.SOT-23 /TO-236AB3) Complements the L2SB1197KXLT1G4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirem
l2sd1781kqlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G SeriesS-L2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)L2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compact2package.3) Complements the L2SB1197KXLT1G SOT-23 /TO-236AB4)We declare that the material of product compliance with RoHS requireme
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