Справочник транзисторов. L2SD1781KRLT1G

 

Биполярный транзистор L2SD1781KRLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SD1781KRLT1G
   Маркировка: AFR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SD1781KRLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SD1781KRLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  lrc
 l2sd1781krlt1g.pdf pdf_icon

L2SD1781KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)S-L2SD1781KQLT1G SeriesL2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)1(IC / IB = 500mA / 50mA)2) High current capacity in compact2package.SOT-23 /TO-236AB3) Complements the L2SB1197KXLT1G4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirem

 5.1. Size:118K  lrc
 l2sd1781kqlt1g.pdf pdf_icon

L2SD1781KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G SeriesS-L2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)L2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compact2package.3) Complements the L2SB1197KXLT1G SOT-23 /TO-236AB4)We declare that the material of product compliance with RoHS requireme

Другие транзисторы... L2SC4083PWT1G , L2SC4083QWT1G , L2SC4617QT1G , L2SC4617RT1G , L2SC4617ST1G , L2SC5635WT1G , L2SC5658QM3T5G , L2SC5658RM3T5G , 2222A , L2SD2114KVLT1G , L2SD2114KWLT1G , L2SD882P , L2SD882Q , L8050HPLT1G , L8050HQLT1G , L8050HRLT1G , L8050PLT1G .

History: L14D2 | BUS22A | KRA153F

 

 
Back to Top

 


 
.