L2SD1781KRLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SD1781KRLT1G  📄📄 

Маркировка: AFR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L2SD1781KRLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SD1781KRLT1G даташит

 ..1. Size:117K  lrc
 l2sd1781krlt1g.pdf pdf_icon

L2SD1781KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Medium Power Transistor L2SD1781KQLT1G Series (32V, 0.8A) S-L2SD1781KQLT1G Series L2SD1781KQLT1G FFeatures 3 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) t 0.4 V (Typ.) 1 (IC / IB = 500mA / 50mA) 2) High current capacity in compact 2 package. SOT-23 /TO-236AB 3) Complements the L2SB1197KXLT1G 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirem

 5.1. Size:118K  lrc
 l2sd1781kqlt1g.pdf pdf_icon

L2SD1781KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Medium Power Transistor L2SD1781KQLT1G Series S-L2SD1781KQLT1G Series (32V, 0.8A) L2SD1781KQLT1G FFeatures 3 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) t 0.4 V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 50mA) 1 2) High current capacity in compact 2 package. 3) Complements the L2SB1197KXLT1G SOT-23 /TO-236AB 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requireme

Другие транзисторы: L2SC4083PWT1G, L2SC4083QWT1G, L2SC4617QT1G, L2SC4617RT1G, L2SC4617ST1G, L2SC5635WT1G, L2SC5658QM3T5G, L2SC5658RM3T5G, BC549, L2SD2114KVLT1G, L2SD2114KWLT1G, L2SD882P, L2SD882Q, L8050HPLT1G, L8050HQLT1G, L8050HRLT1G, L8050PLT1G