L2SD2114KVLT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: L2SD2114KVLT1G  📄📄 

Código: BV

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 350 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 820

Encapsulados: SOT23

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L2SD2114KVLT1G datasheet

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L2SD2114KVLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Epitaxial planar type NPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 3 VEBO =12V (Min.) 3) Low V CE (sat). 1 VCE (sat) = 0.18V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT 2

 5.1. Size:105K  lrc
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L2SD2114KVLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Epitaxial planar type NPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 3 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). 1 VCE (sat) = 0.18V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT 23 (TO

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