L2SD2114KVLT1G Todos los transistores

 

L2SD2114KVLT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: L2SD2114KVLT1G
   Código: BV
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 820
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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L2SD2114KVLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  lrc
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L2SD2114KVLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistorL2SD2114KVLT1G Series FeaturesS-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.3VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat).1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 2

 5.1. Size:105K  lrc
 l2sd2114kwlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KVLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)32) High emitter-base voltage.VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat). 1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO

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History: 2SC4196 | TA1767 | TIP115 | T2472 | 3DD13005ED | KSB1023 | 2SD1993

 

 
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