Справочник транзисторов. L2SD2114KVLT1G

 

Биполярный транзистор L2SD2114KVLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SD2114KVLT1G
   Маркировка: BV
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SD2114KVLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SD2114KVLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  lrc
 l2sd2114kvlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KVLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistorL2SD2114KVLT1G Series FeaturesS-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.3VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat).1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 2

 5.1. Size:105K  lrc
 l2sd2114kwlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KVLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)32) High emitter-base voltage.VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat). 1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: TA2275 | MMBTA56-AU | 2SC413 | CHT2222VGP | TA1797 | TIP140T | TIP34B

 

 
Back to Top

 


 
.