LX8050QLT1G Todos los transistores

 

LX8050QLT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LX8050QLT1G

Código: X8C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de LX8050QLT1G

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LX8050QLT1G datasheet

 ..1. Size:64K  lrc
 lx8050qlt1g.pdf pdf_icon

LX8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LX8050PLT1G NPN Silicon Series S-LX8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC = 0.5A. Epitaxial planar type. 3 NPN complement LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP

Otros transistores... LBC848BWT1G , LBC848CDW1T1G , LBC848CLT1G , LBC848CPDW1T1G , LBC848CWT1G , LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , TIP35C , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , LH8050QLT1G , LH8550QLT1G , LMBTH10LT1G , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G .

History: LS3550B | LMBTH10LT1G | LS301

 

 

 


 
↑ Back to Top
.