LX8050QLT1G Todos los transistores

 

LX8050QLT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LX8050QLT1G
   Código: X8C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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LX8050QLT1G Datasheet (PDF)

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LX8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLX8050PLT1GNPN Silicon SeriesS-LX8050PLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package.IC = 0.5A. Epitaxial planar type.3 NPN complement: LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP

Otros transistores... LBC848BWT1G , LBC848CDW1T1G , LBC848CLT1G , LBC848CPDW1T1G , LBC848CWT1G , LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , 2SC1815 , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , LH8050QLT1G , LH8550QLT1G , LMBTH10LT1G , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G .

History: MJ8100R | BSS71 | KT8176B | KT816A | 2S32 | 2SC347 | 2SC2625B

 

 
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