Справочник транзисторов. LX8050QLT1G

 

Биполярный транзистор LX8050QLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LX8050QLT1G
   Маркировка: X8C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LX8050QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  lrc
 lx8050qlt1g.pdf pdf_icon

LX8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLX8050PLT1GNPN Silicon SeriesS-LX8050PLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package.IC = 0.5A. Epitaxial planar type.3 NPN complement: LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: LMUN5212T1G | LMUN5236DW1T1G

 

 
Back to Top

 


 
.