Справочник транзисторов. LX8050QLT1G

 

Биполярный транзистор LX8050QLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LX8050QLT1G
   Маркировка: X8C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LX8050QLT1G

 

 

LX8050QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  lrc
lx8050qlt1g.pdf

LX8050QLT1G LX8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLX8050PLT1GNPN Silicon SeriesS-LX8050PLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package.IC = 0.5A. Epitaxial planar type.3 NPN complement: LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top