LX8050QLT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

LX8050QLT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LX8050QLT1G
   Маркировка: X8C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналоги (замена) для LX8050QLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LX8050QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  lrc
 lx8050qlt1g.pdf pdf_icon

LX8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLX8050PLT1GNPN Silicon SeriesS-LX8050PLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package.IC = 0.5A. Epitaxial planar type.3 NPN complement: LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP

Другие транзисторы... LBC848BWT1G , LBC848CDW1T1G , LBC848CLT1G , LBC848CPDW1T1G , LBC848CWT1G , LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , 2SC1815 , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , LH8050QLT1G , LH8550QLT1G , LMBTH10LT1G , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G .

History: FJX2907A | BDW40 | BD232G | 2N3053L | TIP31C | 2SD600KD | 2N5229

 

 
Back to Top

 


 
.