Биполярный транзистор LX8050QLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LX8050QLT1G
Маркировка: X8C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LX8050QLT1G
LX8050QLT1G Datasheet (PDF)
..1. Size:64K lrc
lx8050qlt1g.pdf
lx8050qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLX8050PLT1GNPN Silicon SeriesS-LX8050PLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package.IC = 0.5A. Epitaxial planar type.3 NPN complement: LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ