2N650 Todos los transistores

 

2N650 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N650
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N650 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:52K  inchange semiconductor
 2n6500.pdf pdf_icon

2N650

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as:low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters

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History: ET424 | MJ15003 | CHUMD9GP | MMT2857 | 13003AD | D33D2

 

 
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