2N650 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N650
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.75 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO5
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2N650 datasheet
2n6500.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters
Otros transistores... 2N6494 , 2N6495 , 2N649-5 , 2N6496 , 2N6497 , 2N6498 , 2N6499 , 2N65 , 431 , 2N6500 , 2N6501 , 2N6502 , 2N6503 , 2N650A , 2N651 , 2N6510 , 2N6511 .
History: 2N6653 | 2SD1377
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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