Биполярный транзистор 2N650 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N650
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
2N650 Datasheet (PDF)
0.1. Size:52K inchange semiconductor
2n6500.pdf
2n6500.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as:low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050