2N6501 Todos los transistores

 

2N6501 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6501
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO86-2
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N6501 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:52K  inchange semiconductor
2n6500.pdf pdf_icon

2N6501

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as:low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1000LK | DTL3512 | 2SC4681A | BDT65 | KSB795 | 2SA1289S | 2SD476N

 

 
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