Справочник транзисторов. 2N6501

 

Биполярный транзистор 2N6501 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6501
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO86-2
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N6501 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:52K  inchange semiconductor
 2n6500.pdf pdf_icon

2N6501

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as:low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters

Другие транзисторы... 2N649-5 , 2N6496 , 2N6497 , 2N6498 , 2N6499 , 2N65 , 2N650 , 2N6500 , 2SC828 , 2N6502 , 2N6503 , 2N650A , 2N651 , 2N6510 , 2N6511 , 2N6512 , 2N6513 .

History: 2SD1879 | MD6003F

 

 
Back to Top

 


 
.