2N6501 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6501  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO86-2

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6501

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6501 даташит

 9.1. Size:52K  inchange semiconductor
 2n6500.pdf pdf_icon

2N6501

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters

Другие транзисторы: 2N649-5, 2N6496, 2N6497, 2N6498, 2N6499, 2N65, 2N650, 2N6500, TIP32C, 2N6502, 2N6503, 2N650A, 2N651, 2N6510, 2N6511, 2N6512, 2N6513