FTB649A Todos los transistores

 

FTB649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB649A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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FTB649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  first silicon
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FTB649A

SEMICONDUCTORFTB649ATECHNICAL DATA6 9 A TRANSISTOR (PNP) DEA CLow frequency power amplifier complementary pair with FTD669/AF GDIM MILLIMETERSBA 8.3 MAXB 11.30.3C 4.15 TYP1 2 3D 3.20.2E 2.00.2 (Ta=25 unless otherwise noted) H F 2.80.1IG 3.20.1H 1.270.1Symbol Parameter Value Unit KI 1.400.115.50.2KVCBO Collector-Base Volt

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