Справочник транзисторов. FTB649A

 

Биполярный транзистор FTB649A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTB649A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для FTB649A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  first silicon
 ftb649a.pdf pdf_icon

FTB649A

SEMICONDUCTORFTB649ATECHNICAL DATA6 9 A TRANSISTOR (PNP) DEA CLow frequency power amplifier complementary pair with FTD669/AF GDIM MILLIMETERSBA 8.3 MAXB 11.30.3C 4.15 TYP1 2 3D 3.20.2E 2.00.2 (Ta=25 unless otherwise noted) H F 2.80.1IG 3.20.1H 1.270.1Symbol Parameter Value Unit KI 1.400.115.50.2KVCBO Collector-Base Volt

Другие транзисторы... FTB1260 , FTB1261 , FTB1366 , FTB1366F , FTB1386 , FTB1412 , FTB1424 , FTB5240 , C945 , FTB772 , FTB772D , FTB772F , FTB834 , FTC1008 , FTC1027 , FTC1318 , FTC1675 .

History: PBSS302PZ | TIP31D

 

 
Back to Top

 


 
.