FTB649A - описание и поиск аналогов

 

FTB649A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTB649A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для FTB649A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB649A даташит

 ..1. Size:207K  first silicon
 ftb649a.pdf pdf_icon

FTB649A

SEMICONDUCTOR FTB649A TECHNICAL DATA 6 9 A TRANSISTOR (PNP) D E A C Low frequency power amplifier complementary pair with FTD669/A F G DIM MILLIMETERS B A 8.3 MAX B 11.3 0.3 C 4.15 TYP 1 2 3 D 3.2 0.2 E 2.0 0.2 (Ta=25 unless otherwise noted) H F 2.8 0.1 I G 3.2 0.1 H 1.27 0.1 Symbol Parameter Value Unit K I 1.40 0.1 15.5 0.2 K VCBO Collector-Base Volt

Другие транзисторы: FTB1260, FTB1261, FTB1366, FTB1366F, FTB1386, FTB1412, FTB1424, FTB5240, TIP41C, FTB772, FTB772D, FTB772F, FTB834, FTC1008, FTC1027, FTC1318, FTC1675

 

 

 

 

↑ Back to Top
.