FTC1008 Todos los transistores

 

FTC1008 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTC1008
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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FTC1008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  first silicon
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FTC1008

SEMICONDUCTORFTC1008TECHNICAL DATATO 92 FTC1008 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER2. BASE FEATURES 3. COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 700 mA PC Col

 9.1. Size:329K  first silicon
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FTC1008

SEMICONDUCTORFTA1027TECHNICAL DATAFTC1027 TRANSISTOR (NPN) BFEATURES Complementary to FTA1023 High Voltage Applications EDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) B 5.1 MAXC 1.58 MAXD 0.55 MAXE 0.7 TYP F 1.27 TYPG 2.54 TYPFH 14.20 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) GJ 0.45 MAX L 4.10 MAX Symbol

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