FTC1008 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTC1008  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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FTC1008 datasheet

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FTC1008

SEMICONDUCTOR FTC1008 TECHNICAL DATA TO 92 FTC1008 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. BASE FEATURES 3. COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 700 mA PC Col

 9.1. Size:329K  first silicon
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FTC1008

SEMICONDUCTOR FTA1027 TECHNICAL DATA FTC1027 TRANSISTOR (NPN) B FEATURES Complementary to FTA1023 High Voltage Applications E DIM MILLIMETERS A 8.2 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) B 5.1 MAX C 1.58 MAX D 0.55 MAX E 0.7 TYP F 1.27 TYP G 2.54 TYP F H 14.20 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) G J 0.45 MAX L 4.10 MAX Symbol

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